一種高內(nèi)量子效率的綠光LED磊晶結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021779199.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN213692084U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213692084U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類號(hào) | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/04（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐良;劉建哲;李昌勛;陳雷;蔣陽(yáng);李京波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蕪湖眾匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 曹宏筠 |
| 地址 | 245000安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟(jì)園區(qū)翠薇北路66號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高內(nèi)量子效率的綠光LED磊晶結(jié)構(gòu)，包括襯底，依次疊加設(shè)置在襯底上的AlN緩沖層、缺陷湮滅層、u?GaN層、N?GaN層、發(fā)光層、電子阻擋層和P?GaN層；所述缺陷湮滅層由若干對(duì)交替堆疊的AlN/GaN組成。所述AlN/GaN的周期重復(fù)數(shù)大于10，所述AlN的厚度為2～10nm，GaN的厚度為15～30nm。本實(shí)用新型在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)上增加了缺陷湮滅層，缺陷湮滅層采用AlN/GaN交替堆疊的結(jié)構(gòu)能夠?qū)lN緩沖層未阻擋掉的缺陷（缺陷密度約10cm）進(jìn)一步進(jìn)行降低。缺陷延伸到缺陷湮滅層的超晶格界面處會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)向和湮滅，多周期交替生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑷毕菝芏冉档偷?0/cm量級(jí)?？蓮V泛應(yīng)用于綠光LED磊晶領(lǐng)域。 |
