高浪涌電流型SiC二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022345163.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN212810312U 公開(kāi)（公告）日 2021-03-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN212810312U 申請(qǐng)公布日 2021-03-26
分類號(hào) H01L29/861;H01L29/16;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張振中;郝建勇;孫軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州新源專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭雙根
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)倉(cāng)前街道倉(cāng)興路1號(hào)7幢708-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高浪涌電流型SiC二極管,包括SiC襯底（1），SiC襯底（1）表面設(shè)有深P?grid層（2），深P?grid層（2）外部設(shè)有淺P+grid層（3）。本實(shí)用新型通過(guò)在SiC襯底表面形成的淺P+grid層，能夠替代現(xiàn)有SiC二極管中的Ni?Ohmic層起到提高正向浪涌電流的效果；同時(shí)通過(guò)淺P+grid層和深P?grid層的配合可以使本實(shí)用新型在加工時(shí)無(wú)需增設(shè)新的光刻工藝，進(jìn)而相比現(xiàn)有的SiC二極管能夠減少一道光罩?jǐn)?shù)量，具有生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)成本低和正向浪涌電流高的特點(diǎn)。