反向恢復時間短的FRD二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120308618.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214203692U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN214203692U 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/868（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張振中;郝建勇;俞鑫罡 申請（專利權）人 杭州中瑞宏芯半導體有限公司
代理機構 杭州新源專利事務所（普通合伙） 代理人 鄭雙根
地址 311121浙江省杭州市余杭區(qū)倉前街道倉興路1號7幢708-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種反向恢復時間短的FRD二極管,包括N型硅襯底層（1），N型硅襯底層（1）表面分布有若干溝槽（2），溝槽（2）內側設有P+襯底結構（3），N型硅襯底層（1）的外部設有N型硅外延層（4），N型硅外延層（4）的內側將溝槽（2）完全填充。本實用新型通過在N型硅襯底層表面形成的溝槽和P+襯底結構的配合，能夠有效提高FRD二極管的反向恢復時間和高溫可靠性，并避免對產線造成的污染；同時，溝槽的設置還能夠提高FRD二極管的電流密度，從而在提高性能的基礎上彌補因工藝造成的正向導通壓降增大問題，使本實用新型同時具有反向恢復時間短、無產線污染和正向導通壓降小的特點。