一種反向恢復(fù)時(shí)間短的FRD二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110147809.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112768509A 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN112768509A 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L29/06;H01L29/868 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張振中;郝建勇;孫軍 申請（專利權(quán)）人 杭州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州新源專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭雙根
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)倉前街道倉興路1號7幢708-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種反向恢復(fù)時(shí)間短的FRD二極管及制備方法,包括N型硅襯底層（1），N型硅襯底層（1）表面分布有若干溝槽（2），溝槽（2）內(nèi)側(cè)設(shè)有P+襯底結(jié)構(gòu)（3），N型硅襯底層（1）的外部設(shè)有N型硅外延層（4），N型硅外延層（4）的內(nèi)側(cè)將溝槽（2）完全填充。本發(fā)明通過在N型硅襯底層表面形成的溝槽和P+襯底結(jié)構(gòu)的配合，能夠有效提高FRD二極管的反向恢復(fù)時(shí)間和高溫可靠性，并避免對產(chǎn)線造成的污染；同時(shí)，溝槽的設(shè)置還能夠提高FRD二極管的電流密度，從而在提高性能的基礎(chǔ)上彌補(bǔ)因工藝造成的正向?qū)▔航翟龃髥栴}，使本發(fā)明同時(shí)具有反向恢復(fù)時(shí)間短、無產(chǎn)線污染和正向?qū)▔航敌〉奶攸c(diǎn)。