一種高浪涌電流型SiC二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011123353.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112186029A 公開（公告）日 2021-01-05
申請公布號 CN112186029A 申請公布日 2021-01-05
分類號 H01L29/16;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張振中;郝建勇;孫軍 申請（專利權(quán)）人 杭州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州新源專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭雙根
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)倉前街道倉興路1號7幢708-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高浪涌電流型SiC二極管,包括SiC襯底（1），SiC襯底（1）表面設(shè)有深P?grid層（2），深P?grid層（2）外部設(shè)有淺P+grid層（3）。本發(fā)明通過在SiC襯底表面形成的淺P+grid層，能夠替代現(xiàn)有SiC二極管中的Ni?Ohmic層起到提高正向浪涌電流的效果；同時(shí)通過LP?SiO2?Spacer層的刻蝕可以使淺P+grid層在加工時(shí)無需單獨(dú)光刻成型，進(jìn)而相比現(xiàn)有的SiC二極管加工工藝能夠減少一層光罩，具有生產(chǎn)周期短、生產(chǎn)成本低和正向浪涌電流高的特點(diǎn)。