一種基于GaAspHEMT工藝和GaN工藝的功率開關(guān)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210052613.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114421936A 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN114421936A 申請公布日 2022-04-29
分類號 H03K17/042（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 陳陽平;蘇黎明;毋茜 申請（專利權(quán)）人 成都明夷電子科技有限公司
代理機構(gòu) 成都君合集專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 尹新路
地址 610000四川省成都市高新區(qū)德華路333號謝威中心A座9層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種基于GaAs pHEMT工藝和GaN工藝的功率開關(guān)；驅(qū)動放大器部分采用GaAs pHEMT工藝，開關(guān)部分采用GaN工藝；相比于其他工藝，GaAs pHEMT工藝具有更高的電子遷移率和優(yōu)異的功率性能，可以在更低溫度下工作，提供更大的電流密度和電子遷移率，使得工作頻率和增益有所提高；與傳統(tǒng)的Si功率器件相比，GaN功率開關(guān)具有較低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)性能，是高開關(guān)頻率和高效率操作的最優(yōu)選擇之一。當(dāng)開關(guān)頻率增加到MHz級時，軟開關(guān)對于進(jìn)一步減小開關(guān)損耗和提高效率起著重要作用；本發(fā)明與傳統(tǒng)功率開關(guān)相比，可以實現(xiàn)低的開關(guān)損耗而不顯著增加其導(dǎo)通損耗。