一種高耐壓的SOICMOS射頻開(kāi)關(guān)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111609479.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114039584A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114039584A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-11 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03K17/041（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 趙鵬 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇乾合微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭慧 |
| 地址 | 214400江蘇省無(wú)錫市江陰市澄江東路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及射頻開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種電容補(bǔ)償式SOI CMOS射頻開(kāi)關(guān)，包括一個(gè)固定端和至少一個(gè)選擇端，每個(gè)選擇端與固定端之間構(gòu)成一條通道，每條通道的主路徑為M個(gè)級(jí)聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，每條通道的開(kāi)關(guān)管的柵極連接同一個(gè)控制電壓，每個(gè)開(kāi)關(guān)管的源極和漏極之間均連接有電阻，每條通道從固定端開(kāi)始選取N個(gè)連續(xù)的開(kāi)關(guān)管，N個(gè)連續(xù)的開(kāi)關(guān)管的源極和漏極之間分別連接有電容，開(kāi)關(guān)管的源極和漏極之間的電容與該開(kāi)關(guān)管的漏極和源極之間的電阻并聯(lián)，在實(shí)際使用時(shí)，N個(gè)連續(xù)的開(kāi)關(guān)管的源極和漏極之間的電容可以使射頻信號(hào)在關(guān)閉的通道上的開(kāi)關(guān)管上均勻分布，保證關(guān)閉的通道上的開(kāi)關(guān)管不會(huì)因?yàn)殡妷悍植疾痪粨舸?，進(jìn)而提高整個(gè)射頻開(kāi)關(guān)的功率承載能力。 |
