一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011629167.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114695527A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695527A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/417（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李元 申請（專利權(quán)）人 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，該半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)，還包括：襯底；電極結(jié)構(gòu)，位于襯底一側(cè)且位于有源區(qū)，電極結(jié)構(gòu)包括多個漏極；介質(zhì)層，位于電極結(jié)構(gòu)遠離襯底的一側(cè)，介質(zhì)層覆蓋電極結(jié)構(gòu)；多個漏極鍵合盤，漏極鍵合盤在襯底所在平面的垂直投影與漏極在襯底所在平面上垂直投影交疊，且每個漏極鍵合盤還至少包括位于介質(zhì)層遠離襯底一側(cè)的部分，漏極鍵合盤與漏極電連接。本發(fā)明提供的解決方案，將至少部分漏極鍵合盤設(shè)置于有源區(qū)，可大大減小無源區(qū)的面積，從而減小半導(dǎo)體器件的整體面積，提高半導(dǎo)體器件的集成度，進而大大降低芯片的成本。