一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011635294.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114695535A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695535A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李元 申請（專利權(quán)）人 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，該半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)；該半導(dǎo)體器件還包括襯底；電極結(jié)構(gòu)，位于襯底一側(cè)且位于有源區(qū)，電極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)柵極以及與所述柵極相鄰設(shè)置的多個(gè)相鄰電極；介質(zhì)層，位于電極結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，介質(zhì)層覆蓋電極結(jié)構(gòu)；多個(gè)柵極鍵合盤，每個(gè)柵極鍵合盤至少部分位于有源區(qū)且與相鄰電極在襯底所在平面上的垂直投影部分重合，且每個(gè)柵極鍵合盤還至少包括位于介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的部分，柵極鍵合盤與柵極電連接。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件，將至少部分柵極鍵合盤設(shè)置于有源區(qū)，可大大減小無源區(qū)的面積，從而減小半導(dǎo)體器件的整體面積，提高半導(dǎo)體器件的集成度，進(jìn)而大大降低芯片的成本。