一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011629130.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114695544A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695544A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李元;裴軼;徐廣澤 申請（專利權）人 蘇州能訊高能半導體有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括有源區(qū)以及圍繞有源區(qū)的非有源區(qū)；半導體器件還包括：襯底；位于襯底一側的多層半導體層；位于襯底一側的至少一個屏蔽結構，屏蔽結構與預設電位電連接，用于形成所述有源區(qū)指向所述非有源區(qū)的電場或零電場。本發(fā)明實施例的技術方案，通過設置屏蔽結構，同時屏蔽結構與預設電位電連接，從而可以形成有源區(qū)指向非有源區(qū)的電場或零電場，有效屏蔽銀離子，抑制其遷移至半導體芯片正面中心區(qū)域，得到性能穩(wěn)定的半導體器件。