一種半導體器件的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810943230.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110838514B 公開（公告）日 2022-07-22
申請公布號 CN110838514B 申請公布日 2022-07-22
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孔蘇蘇 申請（專利權(quán)）人 蘇州能訊高能半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、半導體器件，半導體器件的外延結(jié)構(gòu)包括襯底基板；位于襯底基板一側(cè)的緩沖層；位于緩沖層遠離襯底基板一側(cè)的溝道層，溝道層中碳原子的摻雜濃度為C1，C1<1*1017cm?3；位于溝道層遠離緩沖層一側(cè)的勢壘層，勢壘層與溝道層之間形成有二維電子氣，其中，勢壘層中碳原子的摻雜濃度為C2，C2<1*1017cm?3。采用上述技術(shù)方案，通過合理設(shè)置溝道層和勢壘層中碳原子的摻雜濃度，保證溝道層和勢壘層中不會形成深能級缺陷，半導體器件的飽和電流輸出效率正常，不會引起電流崩坍現(xiàn)象。