一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011599595.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114695532A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695532A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋晰;韓鵬宇;王慧琴 申請（專利權）人 蘇州能訊高能半導體有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括有源區(qū)和無源區(qū)；半導體器件還包括：位于襯底一側的源極、柵極和漏極，柵極位于源極和漏極之間；柵極包括第一端部和中間部，中間部、源極和漏極均位于有源區(qū)，第一端部位于無源區(qū)；第一端部包括第一子端部和第二子端部；沿第一方向，第一子端部的延伸寬度大于中間部的延伸寬度，第二子端部的延伸寬度大于第一子端部的延伸寬度；第一方向與源極指向漏極的方向平行。通過增大柵極端部的延伸寬度，增加柵極端部金屬與襯底的接觸面積，提高了器件封裝效率，保證了柵極結構穩(wěn)定、性能穩(wěn)定，進一步提高半導體器件的工作穩(wěn)定性和可靠性。