一種靜電放電保護(hù)電路及MCU芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123075990.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216698363U 公開（公告）日 2022-06-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN216698363U 申請(qǐng)公布日 2022-06-07
分類號(hào) H01L27/02（2006.01）I;H02H9/00（2006.01）I;H02H9/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張?zhí)摴?康澤華;吳國(guó)斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海極海半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 519060廣東省珠海市橫琴新區(qū)寶華路6號(hào)105室-68710（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種靜電放電保護(hù)電路及MCU芯片，靜電放電保護(hù)電路包括N阱、P阱、第三P型重?fù)诫s區(qū)及N型摻雜區(qū)，N阱包括第一N型重?fù)诫s區(qū)和第一P型重?fù)诫s區(qū)；P阱包括第二N型重?fù)诫s區(qū)和第二P型重?fù)诫s區(qū)；第三P型重?fù)诫s區(qū)跨設(shè)于N阱和P阱上；N型摻雜區(qū)位于第三P型重?fù)诫s區(qū)遠(yuǎn)離N阱與P阱交界處的一側(cè)；第一N型重?fù)诫s區(qū)和第一P型重?fù)诫s區(qū)均與陽極電連接，第二N型重?fù)诫s區(qū)、第二P型重?fù)诫s區(qū)和N型摻雜區(qū)均與陰極電連接。在本申請(qǐng)中，利用跨接的第三P型重?fù)诫s區(qū)實(shí)現(xiàn)靜電放電保護(hù)電路觸發(fā)電壓的降低。同時(shí)利用Y型結(jié)構(gòu)的二極管組提高對(duì)靜電放電事件的響應(yīng)速度，增強(qiáng)靜電電流的泄放能力以及泄放電流電路的使用壽命和泄放效果。