高電子遷移率晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710220931.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108695384A 公開（公告）日 2018-10-23
申請公布號 CN108695384A 申請公布日 2018-10-23
分類號 H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寶國;陳容傳;多新中;馬勇 申請（專利權(quán)）人 北京華通芯電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京華通芯電科技有限公司
地址 100097 北京市海淀區(qū)豐慧中路7號新材料創(chuàng)業(yè)大廈8層818-113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種高電子遷移率晶體管，包括：襯底、溝道層、勢壘層、漏極、柵極、源極以及多個保護層，襯底、溝道層、勢壘層由下至上依次堆疊，源極和漏極分別形成在勢壘層上表面的左右兩端，柵極形成在源極和漏極之間且分別與源極和漏極間隔；多個保護層堆疊設(shè)置在源極和漏極之間的勢壘層上表面且覆蓋在柵極上；多個保護層中的每個保護層包括鈍化層和形成在鈍化層上的屏蔽層，多個保護層中的屏蔽層從柵極的邊緣自下而上逐漸趨近漏極；多個保護層中位于最下方的屏蔽層與柵極在垂直于勢壘層上表面方向上的投影至少部分重疊。通過本公開的技術(shù)方案，可以在不增加高電子遷移率晶體管導(dǎo)通電阻的情況下提高其擊穿電壓，同時減少寄生輸入電容和反饋電容。