氮化鎵高電子遷移率晶體管的漏極調(diào)制電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720674856.6 申請日 -
公開（公告）號 CN207070035U 公開（公告）日 2018-03-02
申請公布號 CN207070035U 申請公布日 2018-03-02
分類號 H03K17/08 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 多新中;陳容傳;李寶國;馬勇 申請（專利權(quán)）人 北京華通芯電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京華通芯電科技有限公司
地址 100094 北京市海淀區(qū)豐慧中路7號新材料創(chuàng)業(yè)大廈8層818-113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種氮化鎵高電子遷移率晶體管的漏極調(diào)制電路。本公開氮化鎵高電子遷移率晶體管的漏極調(diào)制電路，包括：脈沖驅(qū)動電路、開關(guān)電路和過沖保護(hù)電路；所述脈沖驅(qū)動電路用于產(chǎn)生兩路電平相反的脈沖信號；所述開關(guān)電路用于控制N型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS的開通和關(guān)斷；所述過沖保護(hù)電路用于控制所述氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT的漏極調(diào)制電路的輸出電壓。本公開采用NMOS作為電源與GaN HEMT的漏極之間的開關(guān)器件，其尺寸較小、價格相對便宜，降低了電路的整體成本與面積，并且解決了在電源電流劇烈變化時產(chǎn)生的巨大過沖，保護(hù)了GaN HEMT的漏極調(diào)制電路中的NMOS開關(guān)器件，提高了電路的可靠性。