半導(dǎo)體器件的臨時鍵合與解鍵合的方法以及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011256672.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112382599B 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN112382599B 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/683 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王淼;曾懷望;焦文龍;楊睿峰;李嗣晗 申請（專利權(quán)）人 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京市漢坤律師事務(wù)所 代理人 初媛媛;吳麗麗
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園一路28號附2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種半導(dǎo)體器件的臨時鍵合與解鍵合的方法以及半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件的臨時鍵合與解鍵合方法包括：在第一晶圓上形成第一金屬層，第一晶圓中形成有器件結(jié)構(gòu)并且第一金屬層形成在第一晶圓的靠近器件結(jié)構(gòu)的一側(cè)；在第二晶圓上形成對應(yīng)于第一金屬層的第二金屬層；將第二金屬層鍵合至第一金屬層，以使得第二晶圓鍵合至第一晶圓；在第一晶圓的遠(yuǎn)離器件結(jié)構(gòu)的一側(cè)進行背面工藝；通過電化學(xué)陽極金屬溶解進行解鍵合，以使得第一晶圓與第二晶圓分離。