半導(dǎo)體器件的臨時(shí)鍵合與解鍵合的方法以及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011256672.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112382599B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112382599B 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) H01L21/683 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王淼;曾懷望;焦文龍;楊睿峰;李嗣晗 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市漢坤律師事務(wù)所 代理人 初媛媛;吳麗麗
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園一路28號(hào)附2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的臨時(shí)鍵合與解鍵合的方法以及半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件的臨時(shí)鍵合與解鍵合方法包括：在第一晶圓上形成第一金屬層，第一晶圓中形成有器件結(jié)構(gòu)并且第一金屬層形成在第一晶圓的靠近器件結(jié)構(gòu)的一側(cè)；在第二晶圓上形成對(duì)應(yīng)于第一金屬層的第二金屬層；將第二金屬層鍵合至第一金屬層，以使得第二晶圓鍵合至第一晶圓；在第一晶圓的遠(yuǎn)離器件結(jié)構(gòu)的一側(cè)進(jìn)行背面工藝；通過(guò)電化學(xué)陽(yáng)極金屬溶解進(jìn)行解鍵合，以使得第一晶圓與第二晶圓分離。