半導體器件的臨時鍵合與解鍵合的方法以及半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011256672.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112382599A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN112382599A 申請公布日 2021-07-16
分類號 H01L21/683 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王淼;曾懷望;焦文龍;楊睿峰;李嗣晗 申請（專利權）人 聯(lián)合微電子中心有限責任公司
代理機構 北京市漢坤律師事務所 代理人 初媛媛;吳麗麗
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園一路28號附2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種半導體器件的臨時鍵合與解鍵合的方法以及半導體器件。該半導體器件的臨時鍵合與解鍵合方法包括：在第一晶圓上形成第一金屬層，第一晶圓中形成有器件結構并且第一金屬層形成在第一晶圓的靠近器件結構的一側；在第二晶圓上形成對應于第一金屬層的第二金屬層；將第二金屬層鍵合至第一金屬層，以使得第二晶圓鍵合至第一晶圓；在第一晶圓的遠離器件結構的一側進行背面工藝；通過電化學陽極金屬溶解進行解鍵合，以使得第一晶圓與第二晶圓分離。