一種基于背向工藝的光柵耦合結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110804838.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113359236A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113359236A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) G02B6/26;G02B6/34 分類 光學(xué);
發(fā)明人 吳月;朱繼光;寧寧;潘伯津 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇坤象律師事務(wù)所 代理人 趙新民
地址 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園一路28號(hào)附2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于背向工藝的光柵耦合結(jié)構(gòu)，通過(guò)在波導(dǎo)衍射光柵層上設(shè)置非金屬結(jié)構(gòu)反射鏡層，極大地提高光柵的耦合效率，減小光柵?光纖耦合損耗。反射鏡層采用至少一個(gè)分布式布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)或光柵反射鏡結(jié)構(gòu)，沒(méi)有金屬吸收的問(wèn)題，更耐高溫，與傳統(tǒng)的光學(xué)器件更兼容而不會(huì)引起不必要的損耗，且不存在金屬反射鏡后段工藝污染問(wèn)題；本發(fā)明還提供的一種基于背向工藝的光柵耦合結(jié)構(gòu)的制備方法，采用標(biāo)準(zhǔn)晶圓為初始晶圓，單步刻蝕工藝簡(jiǎn)單，通過(guò)單次沉積刻蝕即可滿足更大帶寬的光耦合反射需求；在不影響原有架構(gòu)的基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求可靈活滿足不同波段的反射高度需求從而具有相應(yīng)優(yōu)勢(shì)。