PDLC膜電極制作方法、負(fù)壓平臺(tái)及PDLC膜
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011470771.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112596291A | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112596291A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | G02F1/1334(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 吳永隆;李炳宏;何文斌;孫瑞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 太倉隆昇光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 張偉 |
| 地址 | 215400江蘇省蘇州市太倉市科教新城健雄路20號(hào)4號(hào)樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種PDLC膜電極制作方法、負(fù)壓平臺(tái)及PDLC膜，涉及電極加工技術(shù)領(lǐng)域，該P(yáng)DLC膜電極制作方法包括以下步驟：使PDLC膜的待加工面朝上放置于負(fù)壓平臺(tái)，并使PDLC膜的待加工面的液晶活化區(qū)域與負(fù)壓平臺(tái)的透明區(qū)域相重合，其他區(qū)域與負(fù)壓平臺(tái)的金屬材質(zhì)區(qū)域相重合；活化PDLC膜的液晶層；根據(jù)半切斷區(qū)域，切割并撕下位于液晶層上面的PET層和導(dǎo)電層，將活化后的液晶層清掃掉露出位于液晶層下面的導(dǎo)電層，以形成相應(yīng)的電極。解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的電極制作方法的生產(chǎn)產(chǎn)量較低的技術(shù)問題，達(dá)到了提高生產(chǎn)產(chǎn)量的技術(shù)效果。?? |
