一種高介晶界層陶瓷材料及晶界層陶瓷基板的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011625259.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112811901A 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN112811901A 申請公布日 2021-05-18
分類號 C04B35/47;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/87 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 杜君;程華容;王新;祁曉旭;趙偉利;王帥 申請（專利權(quán)）人 北京元六鴻遠(yuǎn)電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林聰源
地址 100070 北京市豐臺區(qū)海鷹路1號院5號樓3層3-2（園區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高介晶界層陶瓷材料及晶界層陶瓷基板的制備方法，陶瓷材料包括：主體材料：鈦酸鍶；施主材料：La2O3和Nb2O5；燒結(jié)助劑：SiO2和Li2CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一種或多種；燒結(jié)助劑用于降低瓷料燒結(jié)溫度并促進(jìn)晶粒發(fā)育；受主材料作為氧化燒結(jié)的晶界絕緣化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次燒結(jié)完成晶界層陶瓷基板制備，分別為還原半導(dǎo)體化燒結(jié)和氧化晶界層絕緣燒結(jié)。本發(fā)明在陶瓷材料中摻加助燒劑并采用二次燒結(jié)方式制備陶瓷基板，一方面節(jié)省能源，另一方面可以在較低燒結(jié)溫度下得到較大尺寸粒徑，有利于介電常數(shù)提高；同時，在晶界絕緣化過程中，添加ZnO，提升產(chǎn)品絕緣電阻和絕緣強(qiáng)度。