等離子體增強電化學(xué)表面陶瓷化能量控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN97104035.4 申請日 -
公開（公告）號 CN1050389C 公開（公告）日 2000-03-15
申請公布號 CN1050389C 申請公布日 2000-03-15
分類號 C25D11/02 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 李欣;董作人;左洪波;孔慶山;米東輝 申請（專利權(quán)）人 哈爾濱環(huán)亞微弧技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)公司專利代理部 代理人 哈爾濱環(huán)亞微弧技術(shù)有限公司;哈爾濱三利亞股份有限公司
地址 150036黑龍江省哈爾濱市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)23號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)的等離子體增強電化學(xué)表面陶瓷化技術(shù)的控制方法。該方法在已有的電解質(zhì)溶液和相應(yīng)的工藝條件下通過電能使作為陽極的金屬基體表面等離子弧光放電，進行電化學(xué)陽極氧化，形成具有陶瓷結(jié)構(gòu)的膜層時，采用三相橋式斷續(xù)周波全控整流的方法，控制可控硅的導(dǎo)通角和單位時間內(nèi)導(dǎo)通的周波數(shù)，作用于工件表面微等離子體的能量（即燒結(jié)能量）得到合理控制，避免了在燒結(jié)過程中出現(xiàn)的“欠燒”、“過燒”及“燒蝕”現(xiàn)象，同時又減少了對網(wǎng)絡(luò)的諧波污染。