一種用于半導體封裝的錫球制造方法及設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310006509.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103252500B 公開（公告）日 2017-08-22
申請公布號 CN103252500B 申請公布日 2017-08-22
分類號 B22F9/10(2006.01)I 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 姚玉 申請（專利權）人 深圳市創(chuàng)智材料科技有限公司
代理機構 深圳市遠航專利商標事務所（普通合伙） 代理人 深圳市創(chuàng)智成功科技有限公司;江蘇矽智半導體科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道塘尾富源工業(yè)區(qū)一區(qū)B2幢(1樓C、2樓北)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明創(chuàng)造公開了一種用于半導體封裝的錫球制造方法及設備，其方法是將錫料投入熔化爐中熔化并保持錫液溫度到250?450℃；熔化后的錫液經過導管連續(xù)均勻的流入轉速達500?3000轉/分鐘并經過預熱(預熱溫度與錫液溫度相同)的半球形轉盤中，再從轉盤的噴嘴射出大小均一的錫球，掉入裝有冷卻液的容器中冷卻成型。然后經過清洗，抗氧化處理，篩選，檢驗及包裝得到產品。所述錫球制造設備包括熔化爐，管道，噴射成型裝置三個部分。本發(fā)明創(chuàng)造采用連續(xù)進料方式，錫球產率大大提升，同時產量也可靈活控制，生產的錫球顆粒均一，真圓度高，且設備簡單，操作方便，生產成本低。