通過濕化學(xué)法選擇性去除Si3N4

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202080015854.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113632199A 公開（公告）日 2021-11-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN113632199A 申請(qǐng)公布日 2021-11-09
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李衛(wèi)民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鷹翅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王怡瑾;周婧
地址 上海市嘉定區(qū)興賢路1180號(hào)1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種用于處理襯底的系統(tǒng)和一種用于處理襯底的方法。用于處理基板的系統(tǒng)包括被配置為接收基板的處理室，其中基板暴露于處理室中的蝕刻劑以移除基板的一部分并產(chǎn)生對(duì)基板的通路。蝕刻液中的副產(chǎn)物；副產(chǎn)物去除部，用于將副產(chǎn)物轉(zhuǎn)化為沉淀物并去除沉淀物，從而去除副產(chǎn)物。去除副產(chǎn)物后，蝕刻溶液循環(huán)回到處理室。