高通量薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111137580.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113862625A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113862625A 申請公布日 2021-12-31
分類號 C23C14/34（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李衛(wèi)民;吳挺俊;陳玲麗;朱雷;俞文杰 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高通量薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法。設(shè)備包括腔體、載臺、靶槍、第一氣體供給系統(tǒng)及第二氣體供給系統(tǒng)；腔體包括相互連通的濺射部和沉積部，濺射部位于沉積部的上方，濺射部的水平表面積小于沉積部的水平表面積；靶槍位于濺射部內(nèi)，靶槍上設(shè)置有靶材；載臺用于承載待沉積的襯底，襯底上具有待沉積區(qū)，沉積過程中，待沉積區(qū)位于靶槍的正下方；第一氣體供給系統(tǒng)包括第一氣體管路和第一氣體噴淋頭，第一氣體噴淋頭為復(fù)數(shù)個(gè)；第二氣體供給系統(tǒng)包括第二氣體管路，一端與第二氣體源相連通，另一端延伸到沉積部內(nèi)，以向沉積部供應(yīng)第二氣體，第二氣體包括反應(yīng)氣體和/或保護(hù)氣體。本發(fā)明有助于提高沉積效率和良率。