壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111045283.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113708740A 公開（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113708740A 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 朱宇波;李衛(wèi)民;母志強(qiáng);吳挺俊;朱雷;俞文杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號(hào)1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法，制備方法通過(guò)層轉(zhuǎn)移技術(shù)將高質(zhì)量壓電薄膜的生長(zhǎng)與諧振器工藝分離，且空腔諧振區(qū)域只有多層薄膜構(gòu)成的諧振結(jié)構(gòu)，而引出電極及通孔等結(jié)構(gòu)均遠(yuǎn)離空腔，可以避免產(chǎn)生雜波。本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)，形成空腔無(wú)需引入犧牲層，簡(jiǎn)化了工藝流程；第一電極與壓電薄膜之間的界面為光滑平面，避免了產(chǎn)生應(yīng)力問(wèn)題和雜散振動(dòng)；引出電極等結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離諧振區(qū)域，避免產(chǎn)生雜波；采用本發(fā)明的制備方法無(wú)需復(fù)雜的背面工藝及精確對(duì)準(zhǔn)過(guò)程，并且通過(guò)轉(zhuǎn)移高質(zhì)量壓電薄膜，可以得到高頻率、高耦合系數(shù)且高Q的諧振器。