利用離子注入釋放單晶氮化鋁應(yīng)力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210146662.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114525589A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114525589A 申請公布日 2022-05-24
分類號 C30B33/00（2006.01）I;C23C14/48（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 姜文錚;母志強;朱宇波;陳玲麗;俞文杰;李衛(wèi)民 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種利用離子注入釋放單晶氮化鋁應(yīng)力的方法，包括步驟：1）于襯底上形成預(yù)鋪鋁層；2）在第一溫度下于預(yù)鋪鋁層上形成第一氮化鋁層；3）在第二溫度下于第一氮化鋁層上形成第二氮化鋁層，其中，第二溫度大于第一溫度；4）于第一氮化鋁層或第二氮化鋁層中注入氫離子或氦離子，以在第一氮化鋁層或第二氮化鋁層中形成用于應(yīng)力釋放的缺陷層；5）通過熱處理使第二氮化鋁層的應(yīng)力通過缺陷層釋放并同時修復(fù)缺陷層中的缺陷，以獲得低應(yīng)力氮化鋁層；6）于低應(yīng)力氮化鋁層上形成第三氮化鋁層。本發(fā)明可以獲得低應(yīng)力、低缺陷、無裂紋的氮化鋁薄膜，同時可依據(jù)不同的需求實現(xiàn)不同厚度的氮化鋁薄膜的生長。