一種半導體器件的功率循環(huán)測試系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810651955.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108646163B 公開（公告）日 2019-08-06
申請公布號 CN108646163B 申請公布日 2019-08-06
分類號 G01R31/26 分類 測量；測試;
發(fā)明人 鄧二平;陳杰;郭楠偉;趙志斌;黃永章 申請（專利權）人 北京華電銳拓科技有限公司
代理機構 北京高沃律師事務所 代理人 華北電力大學
地址 102299 北京市昌平區(qū)科技園區(qū)超前路37號院16號樓8層8030號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種半導體器件的功率循環(huán)測試系統(tǒng)。功率循環(huán)測試系統(tǒng)包括：控制器、驅動器、至少一條測試支路、直流電源和水冷器，每條所述測試支路包括一個測試支路開關、與測試支路開關串聯(lián)的若干待測半導體器件，且各個待測半導體器件串聯(lián)連接。本發(fā)明提供的功率循環(huán)測試系統(tǒng)可通過有效地利用一條被測支路的降溫時間來對其他被測支路的器件進行加熱，待測半導體器件的數(shù)量較多，能夠極大地提高功率循環(huán)測試系統(tǒng)的測試效率。同時，由于本發(fā)明提供的功率循環(huán)測試系統(tǒng)設置有多條并聯(lián)的測試支路，因此，用戶可以根據(jù)實際需求進行多種測試功能的切換，可對不同廠家或型號的器件在同一測試條件下進行對比測試。