一種溶劑熱法制備Sm2O3 納米陣列的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310284858.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103352251B 公開（公告）日 2015-07-08
申請公布號 CN103352251B 申請公布日 2015-07-08
分類號 C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 殷立雄;王丹;黃劍鋒;郝巍;李嘉胤;曹麗云;吳建鵬 申請（專利權(quán)）人 鹽城市枯枝牡丹旅游開發(fā)投資有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 陜西科技大學(xué);深圳鵬渤信息科技有限公司
地址 712081 陜西省咸陽市人民西路49號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種溶劑熱法制備Sm2O3納米陣列的方法，首先配制Sm3+溶液A；向溶液A中加入聚乙烯醇水溶液得到鍍膜液；在單晶硅（100）基板表面均勻涂覆一層鍍膜液后烘干，再熱處理，配制Sm3+溶液B，然后調(diào)節(jié)溶液B的pH為5.5～7.0得到生長液；將生長液倒入水熱反應(yīng)釜中，將處理后的硅基板浸入其中，密封反應(yīng)釜，放入電熱真空干燥箱中反應(yīng)完成后取出基板清洗后置于真空干燥箱內(nèi)干燥，即在基板表面獲得Sm2O3納米陣列。本發(fā)明制備Sm2O3納米陣列的反應(yīng)在液相中完成，不需要借助于硬模板，從而避免了去除模板過程中對產(chǎn)物結(jié)構(gòu)及性能的影響；不需要進(jìn)行后期的晶化熱處理，從而避免了Sm2O3納米陣列在熱處理過程中可能導(dǎo)致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜與襯底或氣氛反應(yīng)等缺陷。