一種水熱法制備Sm2O3納米陣列的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310284857.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103352250B 公開（公告）日 2015-09-30
申請公布號 CN103352250B 申請公布日 2015-09-30
分類號 C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 殷立雄;王丹;黃劍鋒;郝巍;李嘉胤;曹麗云;吳建鵬 申請（專利權(quán)）人 鹽城市枯枝牡丹旅游開發(fā)投資有限公司
代理機構(gòu) 西安通大專利代理有限責任公司 代理人 陜西科技大學
地址 712081 陜西省咸陽市人民西路49號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種水熱法制備Sm2O3納米陣列的方法，將SmCl3·6H2O加入去離子水中得透明溶液；調(diào)節(jié)透明溶液的pH調(diào)節(jié)至4.5～5.5后再加入聚乙烯醇水溶液得鍍膜液；在ITO導電玻璃基板表面均勻涂覆一層鍍膜液后干燥并熱處理；將分析純SmCl3·6H2O加入去離子水中再用調(diào)節(jié)其pH調(diào)至5.0～5.8作為生長液；將上述生長液倒入水熱釜中，將經(jīng)過熱處理后的ITO導電玻璃基板浸入其中，密封水熱釜，放入電熱真空干燥箱中，反應(yīng)結(jié)束后自然冷卻至室溫；取出基板，洗滌后真空干燥即在基板表面獲得Sm2O3納米陣列。本發(fā)明制備Sm2O3納米陣列的反應(yīng)在液相中完成，不需要進行后期的晶化熱處理，從而避免了Sm2O3納米陣列在熱處理過程中可能導致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜與襯底或氣氛反應(yīng)等缺陷。