一種羥基修飾無定形SiOx殼層包覆納米硅負極材料、制備方法及負極片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010192833.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111342027A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111342027A 申請公布日 2020-06-26
分類號 H01M4/36(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 慈立杰;郭建光;王預 申請（專利權(quán)）人 深圳索理德新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳智趣知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 深圳索理德新材料科技有限公司
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道楊美社區(qū)布龍路524號坂田中心大廈706
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種羥基修飾無定形SiOx殼層包覆納米硅鋰離子電池負極材，是外表包覆有一層為0.5?5納米的羥基修飾無定形SiOx層的納米單質(zhì)硅顆粒，納米單質(zhì)硅顆粒的粒徑為20?60nm。所述材料通過以下方法制得：1)、配制乙醇水溶液；2)、向上述溶液中加入納米硅顆粒，超聲，形成均一的懸濁液；3)、將懸濁液靜置，超聲處理4)、將納米硅顆粒和乙醇水溶液分離，將納米硅材料置于真空烘箱中烘干，即可得到所述材料。本發(fā)明制得的材料，由厚度均勻的無定形SiOx包覆，對硅體積膨脹的抑制效果好，可逆容量低，且本發(fā)明所用的制備方法工藝簡單，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，得率高，成本可控，材料可循環(huán)使用，對環(huán)境更友好。??