一種羥基修飾無(wú)定形SiOx殼層包覆納米硅負(fù)極材料、制備方法及負(fù)極片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010192833.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111342027A 公開(kāi)(公告)日 2020-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN111342027A 申請(qǐng)公布日 2020-06-26
分類(lèi)號(hào) H01M4/36(2006.01)I 分類(lèi) -
發(fā)明人 慈立杰;郭建光;王預(yù) 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 深圳索理德新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳智趣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 深圳索理德新材料科技有限公司
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法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種羥基修飾無(wú)定形SiOx殼層包覆納米硅鋰離子電池負(fù)極材,是外表包覆有一層為0.5?5納米的羥基修飾無(wú)定形SiOx層的納米單質(zhì)硅顆粒,納米單質(zhì)硅顆粒的粒徑為20?60nm。所述材料通過(guò)以下方法制得:1)、配制乙醇水溶液;2)、向上述溶液中加入納米硅顆粒,超聲,形成均一的懸濁液;3)、將懸濁液靜置,超聲處理4)、將納米硅顆粒和乙醇水溶液分離,將納米硅材料置于真空烘箱中烘干,即可得到所述材料。本發(fā)明制得的材料,由厚度均勻的無(wú)定形SiOx包覆,對(duì)硅體積膨脹的抑制效果好,可逆容量低,且本發(fā)明所用的制備方法工藝簡(jiǎn)單,產(chǎn)品性能穩(wěn)定,得率高,成本可控,材料可循環(huán)使用,對(duì)環(huán)境更友好。??