低熱阻H橋

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620961815.0 申請日 -
公開（公告）號 CN205960972U 公開（公告）日 2017-02-15
申請公布號 CN205960972U 申請公布日 2017-02-15
分類號 H02M7/00(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 趙冬;周理明;謝星月;邵家偉;王毅 申請（專利權(quán)）人 江蘇揚杰半導體有限公司
代理機構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇揚杰半導體有限公司
地址 225008 江蘇省揚州市邗江區(qū)創(chuàng)業(yè)園中路26號2-
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 低熱阻H橋。屬于功率半導體產(chǎn)品領(lǐng)域，尤其涉及對H橋結(jié)構(gòu)的改進。提供了一種散熱性能好，產(chǎn)品可靠性更高的低熱阻H橋。所述覆銅陶瓷板包括陶瓷板本體、設(shè)于所述本體頂面的銅構(gòu)造層和設(shè)于所述本體底面的覆銅層；所述銅構(gòu)造層在所述陶瓷板頂面上設(shè)有四塊相互絕緣區(qū)域，在四塊相互絕緣區(qū)域上分別設(shè)有四個芯片安置位，使得四個芯片安置位處于陶瓷板的四個邊的中部位置。所述覆銅層的邊緣輪廓小于所述陶瓷板的邊緣輪廓。本實用新型增加了焊錫與跳線之間的結(jié)合面積，提高了焊接連接的可靠性。