一種碳化硅粉體的合成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110959887.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113501525A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113501525A 申請公布日 2021-10-15
分類號 C01B32/984（2017.01）I;C01B32/977（2017.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 陳豆;周玉潔;李堅;潘堯波 申請（專利權(quán)）人 中電化合物半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 苗曉娟
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號3號樓105-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種碳化硅粉體的合成方法，該方法包括首先將摩爾比為1：1～1：2的碳粉和硅粉混合；再向所述碳粉和所述硅粉的混合料中加入聚碳硅烷混合均勻；將混合均勻的原料裝入石墨坩堝中，并將所述石墨坩堝放入加熱爐中；對所述加熱爐的生長腔抽真空，并進行洗氣預熱；將所述加熱爐升溫至1100～1300℃，反應6～10小時；將所述加熱爐升溫至1900～2200℃，反應15～30小時。本發(fā)明一方面利用聚碳硅烷在高溫下裂解的產(chǎn)物與環(huán)境中的吸附氮或其他異質(zhì)元素反應，降低碳化硅粉體中異質(zhì)元素，提高碳化硅粉體的純度；另一方面利用聚碳硅烷加熱呈熔體狀態(tài)進而粘接周圍的碳粉和硅粉，從而使其隨溫度升高形核長大成大顆粒碳化硅顆粒。