一種可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長(zhǎng)體系氣氛的生長(zhǎng)坩堝和方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011041383.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112160028A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112160028A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 馬遠(yuǎn);陳豆;薛衛(wèi)明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中電化合物半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 中電化合物半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號(hào)3號(hào)樓105-1室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長(zhǎng)體系氣氛的生長(zhǎng)坩堝和方法。所述可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長(zhǎng)體系氣氛的生長(zhǎng)坩堝包括：坩堝主體；原料腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，用于裝填碳化硅單晶的生長(zhǎng)原料；生長(zhǎng)腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，并位于所述原料腔的上方，用于生長(zhǎng)籽晶而獲得碳化硅單晶；疏氣腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，并位于所述原料腔的下方，所述疏氣腔內(nèi)具有疏氣組件，用于向所述原料腔內(nèi)釋放鹵素氣體，以調(diào)節(jié)所述碳化硅單晶生長(zhǎng)體系氣氛?；诒景l(fā)明可在晶體生長(zhǎng)初期將鹵素氣體釋放進(jìn)入生長(zhǎng)氛圍，達(dá)到消耗晶體生長(zhǎng)初期多余硅的目的，進(jìn)而調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長(zhǎng)氣氛的化學(xué)組成，提高碳化硅單晶質(zhì)量以及減少對(duì)石墨坩堝的腐蝕。?? |
