一種碳化硅單晶的液相生長用坩堝及生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120154726.6 申請日 -
公開（公告）號 CN214400800U 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN214400800U 申請公布日 2021-10-15
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B15/12（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬遠;潘堯波 申請（專利權(quán)）人 中電化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 夏苗苗
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號3號樓105-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種碳化硅單晶的液相生長用坩堝及生長裝置，所述碳化硅單晶的液相生長用坩堝包括：第一坩堝主體，所述第一坩堝主體用于為所述碳化硅單晶提供液相生長場所；第二坩堝主體，所述第二坩堝主體內(nèi)設(shè)有盛放原料碳的空間；其中，所述第一坩堝主體和第二坩堝主體之間通過至少一石墨管連接形成通路，原料硅和所述原料碳通過所述通路在所述第一坩堝主體和所述第二坩堝主體之間流動擴散，液相生長得到所述碳化硅單晶。根據(jù)本實用新型可以有效地解決碳在溶硅溶液中溶解度過低，晶體無法長大的問題。