一種可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長體系氣氛的生長坩堝和方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011041383.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112160028B | 公開（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請公布號(hào) | CN112160028B | 申請公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | C30B29/36;C30B23/00 | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 馬遠(yuǎn);陳豆;薛衛(wèi)明 | 申請（專利權(quán)）人 | 中電化合物半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 夏苗苗 |
| 地址 | 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號(hào)3號(hào)樓105-1室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長體系氣氛的生長坩堝和方法。所述可調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長體系氣氛的生長坩堝包括：坩堝主體；原料腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，用于裝填碳化硅單晶的生長原料；生長腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，并位于所述原料腔的上方，用于生長籽晶而獲得碳化硅單晶；疏氣腔，位于所述坩堝主體內(nèi)，并位于所述原料腔的下方，所述疏氣腔內(nèi)具有疏氣組件，用于向所述原料腔內(nèi)釋放鹵素氣體，以調(diào)節(jié)所述碳化硅單晶生長體系氣氛?；诒景l(fā)明可在晶體生長初期將鹵素氣體釋放進(jìn)入生長氛圍，達(dá)到消耗晶體生長初期多余硅的目的，進(jìn)而調(diào)節(jié)碳化硅單晶生長氣氛的化學(xué)組成，提高碳化硅單晶質(zhì)量以及減少對石墨坩堝的腐蝕。 |
