碳化硅外延片的反應(yīng)室及其排氣裝置和半導(dǎo)體設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023086331.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213781995U 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN213781995U 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L21/67（2006.01）I;H01L21/205（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周長健;吳從俊 申請（專利權(quán)）人 中電化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 苗曉娟
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號3號樓105-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種反應(yīng)室的排氣裝置，其中，所述反應(yīng)室包括腔體，所述排氣裝置位于所述腔體的一側(cè)，用于將冗余氣體排出所述腔體；所述排氣裝置包括排氣口及設(shè)置在所述排氣口上的均流裝置，所述排氣口設(shè)置在所述腔體一側(cè)，所述均流裝置包括基座和均流層，所述基座安裝在所述排氣口上，且所述基座為中空結(jié)構(gòu)：所述均流層安裝在所述基座上，所述均流層上設(shè)有多個(gè)排氣孔。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，可實(shí)現(xiàn)腔體內(nèi)各個(gè)方向氣流更加均勻。本實(shí)用新型還提供一種包含上述排氣裝置的碳化硅外延片的反應(yīng)室及包含上述反應(yīng)室的半導(dǎo)體設(shè)備。