一種用于半導(dǎo)體外延生長的托盤及半導(dǎo)體加工設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120084437.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214327968U 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN214327968U 申請公布日 2021-10-01
分類號 C30B25/12（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;H01L21/673（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 周長健;吳從俊 申請（專利權(quán)）人 中電化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 苗曉娟
地址 315336浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號3號樓105-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種用于半導(dǎo)體外延生長的托盤，包括托盤本體、凹槽及支撐結(jié)構(gòu)，所述凹槽設(shè)置在所述托盤本體上，所述凹槽的側(cè)壁向所述凹槽內(nèi)部傾斜一定角度，所述支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述托盤本體上，且所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述凹槽的底部。本實用新型可大幅度提高晶圓的固定性，減小晶圓由于慣性從凹槽內(nèi)滑出的概率，解決產(chǎn)品背面與凹槽接觸產(chǎn)生劃傷的問題。本實用新型還提供一種包含上述托盤的半導(dǎo)體加工設(shè)備，在此設(shè)備中生長的外延片質(zhì)量得到提高。