石墨件及其處理方法、單晶生長(zhǎng)設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110645418.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113185324A 公開(kāi)(公告)日 2021-07-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113185324A 申請(qǐng)公布日 2021-07-30
分類(lèi)號(hào) C04B41/50;C01B32/21;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/36;C30B29/40 分類(lèi) 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 薛衛(wèi)明;馬遠(yuǎn);潘堯波 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 中電化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 代理人 盧炳瓊
地址 315336 浙江省寧波市杭州灣新區(qū)興慈一路290號(hào)3號(hào)樓105-1室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種石墨件及其處理方法,及單晶生長(zhǎng)設(shè)備。處理方法包括步驟:1)對(duì)石墨件進(jìn)行清洗干燥;2)于干燥的石磨件表面貼附與石墨件形狀相匹配的石墨紙,之后進(jìn)行固化;3)于石墨紙表面涂敷有機(jī)鉭溶液,鉭的涂覆量為0.001g/mm2?10g/mm2,然后依次經(jīng)干燥及高溫?zé)Y(jié),從而在石墨紙表面獲得有裂紋的碳化鉭層;高溫?zé)Y(jié)的壓力在0.01mbar以下,溫度為1700℃?2500℃,高溫?zé)Y(jié)時(shí)間為6h?15h;4)將形成有碳化鉭層的石墨件冷卻后放入含硅材料中,在預(yù)設(shè)壓力和預(yù)設(shè)溫度下對(duì)石墨件進(jìn)行預(yù)定時(shí)長(zhǎng)的烘烤。相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明可以確保制備得到的石墨件在應(yīng)用于熱場(chǎng)環(huán)境中表面不被腐蝕,且準(zhǔn)備完成的石墨件具有相當(dāng)?shù)膹?qiáng)度,能夠?yàn)镻VT法單晶碳化硅晶體提供一定的結(jié)構(gòu)支撐。