一種硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110524212.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113258053A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113258053A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/052（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅飛 申請（專利權(quán)）人 溧陽天目先導(dǎo)電池材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李楠
地址 213300江蘇省常州市溧陽市昆侖街道上上路87號15棟辦公樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅基負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用。硅基負(fù)極材料包括：氧化亞硅基質(zhì)和碳原子，其中所述碳原子以原子級別均勻分布在氧化亞硅基質(zhì)中；碳原子與硅原子結(jié)合形成無序的C?S i鍵，X射線衍射能譜（XRD）中無S i C的結(jié)晶峰；所述硅基負(fù)極材料的X射線光電子能譜（XPS）中，C 1s能譜分峰后在283.5±1eV位置處有屬于C?S i鍵的結(jié)合峰；所述硅基負(fù)極材料顆粒的平均粒徑D50為1nm?100μm，比表面積為0.5m/g?40m/g；所述碳原子的質(zhì)量占氧化亞硅基質(zhì)質(zhì)量的0.1％?40％。本發(fā)明以氣態(tài)處理所得超細(xì)的硅結(jié)合高導(dǎo)電的碳，形成了分子水平混合的無序C?S i鍵結(jié)構(gòu)，有利于減緩材料的體積膨脹，提升氧化亞硅內(nèi)部的導(dǎo)電性，提升材料的快充性能。