一種均勻改性的硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110668605.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113437271A | 公開(公告)日 | 2021-09-24 |
申請公布號 | CN113437271A | 申請公布日 | 2021-09-24 |
分類號 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/48(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/052(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;C01B33/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 羅飛 | 申請(專利權(quán))人 | 溧陽天目先導(dǎo)電池材料科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 李楠 |
地址 | 213300江蘇省常州市溧陽市昆侖街道上上路87號15棟辦公樓3層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種均勻改性的硅基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,硅基復(fù)合材料的通式為S i CxAyOz;0<x<20;0<y<10;0<z<10;其中,A為B、A l、Mg、Ca、Fe、Co、N i、Cu、Zn、Ge、Sn、L i中的一種或多種,C以原子尺度均勻彌散分布在硅基復(fù)合材料的顆粒內(nèi)部,且無20nm以上的碳元素團聚;部分或所有碳原子與硅原子結(jié)合形成無序的S i?C鍵;在硅基復(fù)合材料的聚焦離子束?透射電鏡F I B?TEM測試中,顆粒切面的能譜面掃顯示顆粒內(nèi)部硅元素、碳元素、A元素、氧元素均勻分布;所述硅基復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)為多相彌散結(jié)構(gòu);所述硅基復(fù)合材料顆粒的平均粒徑D50為1nm?100μm,比表面積為0.5m/g?40m/g;所述碳原子的質(zhì)量占硅基復(fù)合材料質(zhì)量的0.1%?40%;所述A元素的質(zhì)量占復(fù)合顆粒質(zhì)量的3%?40%。 |
