具有簇狀分層結(jié)構(gòu)的碳基納米新型場致電子發(fā)射材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010191101.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101887828B 公開（公告）日 2013-04-24
申請公布號 CN101887828B 申請公布日 2013-04-24
分類號 H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李葵陽 申請（專利權(quán)）人 重慶啟越涌陽微電子科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 謝殿武
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永微電子產(chǎn)業(yè)園區(qū)研發(fā)樓BI-7
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有簇狀分層結(jié)構(gòu)的碳基納米新型場致電子發(fā)射材料，該納米材料是通過在襯底上沉積出簇狀結(jié)構(gòu)的納米薄膜，再在納米薄膜的邊緣尖端上生長出密集的納米微管而形成，納米微管生長于簇狀結(jié)構(gòu)的尖端之上，其中，簇狀結(jié)構(gòu)的高度介于0.5um～5um之間，簇狀結(jié)構(gòu)的長邊與襯底表面法線的夾角小于或等于20°，納米微管的高度介于1nm～1000nm之間，該新型場致電子發(fā)射碳基納米材料通過重新組合及優(yōu)化其結(jié)構(gòu)特性，能夠克服現(xiàn)有技術(shù)制造的單壁和多壁碳納米管所存在的石墨化程度普遍較差，結(jié)構(gòu)密度低，存在較多結(jié)晶缺陷的問題；滿足發(fā)射效率和電流分布的要求，并能有效拓寬其在多個領(lǐng)域的應(yīng)用；另外，本發(fā)明還提供了該材料的制備方法。