選擇性生長(zhǎng)立式石墨稀的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610540870.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106191802A | 公開（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106191802A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-12-07 |
| 分類號(hào) | C23C16/04(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 李葵陽(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶啟越涌陽(yáng)微電子科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京一格知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 滑春生 |
| 地址 | 401332 重慶市沙坪壩區(qū)西園二路98號(hào)一期標(biāo)準(zhǔn)廠房1號(hào)樓5層2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種選擇性生長(zhǎng)立式石墨稀的制備方法。選擇性生長(zhǎng)立式石墨稀的制備方法，包括以下步驟：提供金屬掩膜板和含鐵、鈷或鎳中的任意一種或多種組合的襯底，將金屬掩膜板置于襯底上；將帶有金屬掩膜板的襯底置入物理氣相沉積系統(tǒng)沉積遮蔽層；取下金屬掩膜板，形成覆蓋有圖形化遮蔽層的襯底；接著在>800℃含有氫氣的環(huán)境下進(jìn)行退火；然后置入等離子輔助化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)進(jìn)行生長(zhǎng)，并通入氫氣、氬氣及含碳元素的氣體。本發(fā)明選擇性生長(zhǎng)立式石墨稀的制備方法工藝步驟少，簡(jiǎn)單易操作，可節(jié)省成本。 |
