用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010495166.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111809237B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN111809237B 申請公布日 2021-10-08
分類號 C30B29/08;C30B15/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張路;于洪國;林泉;杜長嶺;趙哲 申請（專利權(quán)）人 有研光電新材料有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 佟林松
地址 065201 河北省廊坊市三河市燕郊興都村南有研科技集團(tuán)有限公司二部
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于在鍺晶體生長過程中粘出臟料的方法，包括以下步驟：將鍺料煅燒完成后；將籽晶插入鍺熔體，待熔接穩(wěn)定后設(shè)置第一晶體提拉速度，進(jìn)行引晶；點(diǎn)動式開啟、停止第二晶體提拉速度，控制所述臟料的邊緣脫離鍺熔體液面,臟料的中心區(qū)域與鍺熔體相連，進(jìn)行縮頸生長，再將第二晶體提拉速度調(diào)整至第一晶體提拉速度進(jìn)行再放肩，繼續(xù)生長晶體；待晶體直徑長到目標(biāo)直徑時，再將第一晶體提拉速度調(diào)整至第二晶體提拉速度，如此反復(fù)操作，直至將鍺熔體表面的浮渣粘完，該方法降低了粘出臟料所用時間，粘出臟料重量小，大大降低臟料因加工提純帶來的損耗。