壓力傳感器敏感元件的制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310613099.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103606565A 公開（公告）日 2014-02-26
申請公布號 CN103606565A 申請公布日 2014-02-26
分類號 H01L29/84(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程新利;唐運海;沈嬌艷;王冰;秦長發(fā);潘濤;臧濤成;王文襄 申請（專利權(quán)）人 昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 代理人 蘇州科技學院;昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司;昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
地址 215009 江蘇省蘇州市高新區(qū)科銳路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種壓力傳感器敏感元件的制造工藝，其第一、第二摻硼P型微晶硅條為由若干根沿徑向排列的微晶硅電阻絲首尾連接組成；在杯形襯底附近通入高純氧氣與氬氣的混合氣體，混合氣體氧氣氬氣體積比為1：13，總氣壓大小為Pa，在250℃溫度下，用加速能量為2000eV的氬離子束轟擊99.95%的二氧化硅靶材，沉積厚度1～5μm作為絕緣隔離層的二氧化硅隔離層；以電阻率為Ω﹒m摻硼硅為靶材，在高純氬氣的氣氛中，用離子束濺射方法，生長溫度為300℃，通過覆蓋第一掩模板在二氧化硅隔離層上制備出厚度為1～5μm摻硼P型微晶硅條。本發(fā)明敏感層薄膜附著力強，既大大提升了量程，又提高了感應的精度和靈敏性，且提高了壓力傳感器的信號線性度。