一種CMOS磁傳感器模擬前端電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710734711.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109387795B 公開（公告）日 2019-02-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN109387795B 申請(qǐng)公布日 2019-02-26
分類號(hào) G01R33/07(2006.01)I;G01R33/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 田鑫;卓新元;況西根 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州市靈矽微系統(tǒng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)竹園路209號(hào)3號(hào)樓1505室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種CMOS磁傳感器模擬前端電路，其包括霍爾磁傳感器、電流旋轉(zhuǎn)電路、放大器、雙采樣積分器、比較器、電壓電流參考源、數(shù)字電路。該電路避開大面積無(wú)源器件的使用，并以純數(shù)字的方式調(diào)整判決閾值，加強(qiáng)了魯棒性，實(shí)現(xiàn)了磁開關(guān)和磁量化器之間進(jìn)行功能切換。