一種減小石英wafer腐蝕散差的滴定方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110683095.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113512764A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113512764A 申請公布日 2021-10-19
分類號 C30B33/10;C30B29/18 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 萬楊;吳豐順;欒興賀;張小偉;楊飛;黃大勇 申請（專利權(quán)）人 泰晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 441300 湖北省隨州市曾都經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種減小石英wafer腐蝕散差的滴定方法，包括：雙面鍍膜、涂膠、雙面曝光、顯影、金屬蝕刻、外形腐蝕、去膠、去金屬、凹槽鍍膜、涂膠、凹槽曝光、凹槽顯影、凹槽蝕刻、凹槽去膠、第一次凹槽腐蝕、使用頻率監(jiān)測儀器將第一次凹槽腐蝕得到的mesa晶片進(jìn)行全部測量，并將測試結(jié)果記錄到計(jì)算機(jī)中，并計(jì)算出每片晶片的二次腐蝕時(shí)間，然后使用滴管依據(jù)加腐時(shí)間的先后順序?qū)⒏g液滴入mesa晶片，最終腐蝕時(shí)間到達(dá)后將晶圓放入純水中清洗烘干。本發(fā)明解決了現(xiàn)有石英晶圓腐蝕散差大的問題，尤其是在高頻mesa晶片腐蝕生產(chǎn)上，同時(shí)也提高了產(chǎn)品量產(chǎn)合格率。