背照式互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110802231.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113540140A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113540140A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L27/146（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐文;楊京南 申請（專利權(quán)）人 上海芯物科技有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 王瑞云
地址 201800上海市嘉定區(qū)皇慶路333號3幢北樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種背照式互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器及其制備方法。該互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器的制備方法包括：提供第一晶圓；在第一晶圓的表面形成外延層，其中，外延層和第一晶圓的導(dǎo)電類型相同，且外延層的摻雜濃度小于第一晶圓的摻雜濃度，外延層內(nèi)設(shè)置有至少一個像素單元；在外延層形成至少一個摻雜區(qū)，其中，摻雜區(qū)圍繞像素單元設(shè)置；在第一晶圓的表面形成第二晶圓，其中，第二晶圓內(nèi)設(shè)置有圖像處理電路；通過濕法刻蝕工藝去除第一晶圓；通過濕法刻蝕工藝去除摻雜區(qū)。本方案相比于干法刻蝕，可以避免對硅表面的損傷，無需修復(fù)硅表面的損傷，由此降低互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器在形成像素單元的隔離結(jié)構(gòu)受到的損傷。