一種高壓半導(dǎo)體器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111489211.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114220764A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220764A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/762（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 上海芯物科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海大邦律師事務(wù)所 代理人 陳丹楓
地址 201899上海市嘉定區(qū)皇慶路333號3幢北樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高壓半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供一襯底，在所述襯底上形成所述高壓器件的第一柵極結(jié)構(gòu)及第一柵氧化層，所述第一柵極結(jié)構(gòu)之間形成柵極溝槽，所述第一柵氧化層上具有所述第一柵極結(jié)構(gòu)及柵極溝槽；依次淀積第一氮化層及第一氧化層；去除所述第一氧化層，使所述柵極溝槽的柵氧化層上形成第一隔離層；去除所述第一氮化層，使所述柵極溝槽的柵氧化層上形成第二隔離層；淀積第二氧化層及第二氮化層；去除所述第二氧化層、第二氮化層及第三隔離層，所述第三隔離層通過淀積所述第一氮化層、第一氧化層、第二氧化層及第二氮化層得到。本發(fā)明能夠防止高壓器件區(qū)柵氧化層的消耗，提高了高壓器件的可靠性。