一種柵氧化層生長監(jiān)測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111447958.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114220747A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220747A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 上海芯物科技有限公司
代理機構 上海大邦律師事務所 代理人 陳丹楓
地址 201899上海市嘉定區(qū)皇慶路333號3幢北樓3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種柵氧化層生長監(jiān)測方法，適于監(jiān)測線寬在14納米以下的半導體元件的柵氧化層生長，包括：提供一適于監(jiān)測的晶圓，所述晶圓包括襯底及襯底表面；形成一單晶硅層于所述襯底表面；形成第一柵氧化層于所述單晶硅層；對所形成的第一柵氧化層厚度進行監(jiān)測。本發(fā)明能夠提高柵氧化層生長監(jiān)測過程中柵氧化層生長厚度的穩(wěn)定性，并提高監(jiān)測晶圓的利用率。