一種帶有屏蔽柵的超結(jié)IGBT及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810968433.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109037312A 公開（公告）日 2018-12-18
申請公布號 CN109037312A 申請公布日 2018-12-18
分類號 H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦旭光;吉煒 申請（專利權(quán)）人 無錫市乾野微納電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市順天達專利商標代理有限公司 代理人 蔡曉紅;柯夏荷
地址 516000 廣東省惠州市云山西路4號德威大廈6層07號A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種帶有屏蔽柵的超結(jié)IGBT及其制造方法，超結(jié)IGBT包括半導體基板，元胞區(qū)以及終端保護區(qū)，半導體基板包括第二導電類型集電極區(qū)、第一導電類型場終止層和至少一層的第一導電類型外延層；元胞區(qū)包括若干個相互并聯(lián)連接的元胞，其包括若干個元胞溝槽以及填充于元胞溝槽內(nèi)的柵極導電多晶硅和屏蔽柵，元胞溝槽相對柵極導電多晶硅的槽口兩側(cè)和側(cè)壁上設(shè)有第七氧化層，柵極導電多晶硅和屏蔽柵之間設(shè)有第五氧化層，元胞溝槽相對屏蔽柵的底部和側(cè)壁上設(shè)有第四氧化層；第一導電類型外延層內(nèi)還設(shè)置有P柱，P柱的一端連接第二導電類型阱層，另一端朝向第一導電類型場終止層延伸。本發(fā)明采用屏蔽柵結(jié)構(gòu)，降低了米勒電容，從而降低開關(guān)損耗。